[实用新型]一种纳米金属线导电薄膜有效
| 申请号： | 201420277587.6 | 申请日： | 2014-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN203983262U | 公开（公告）日： | 2014-12-03 |
| 发明（设计）人： | 刘兴栋 | 申请（专利权）人： | 刘兴栋 |
| 主分类号： | H01L23/492 | 分类号： | H01L23/492 |
| 代理公司： | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 | 代理人： | 万秀娟 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种纳米金属线导电薄膜，包括：基座、IC晶片、封装件及用于与外部电连接的导线架，所述IC晶片固定设置于所述导线架上，所述封装件包覆所述IC晶片，其特征在于：所述基座开设有一凹型腔，所述凹型腔具有一开口端，所述导线架和所述IC晶片均设于所述凹型腔的内部，所述导线架及与所述导线架相连接的内脚和外脚形成一容置空间，散热器设置于所述容置空间内。本实用新型使用的纳米银金属线使用合成工艺可以控制金属线直径，从400纳米到15纳米等长度可以控制在1um-30um，而银的导电性又是所有金属中最好的，本工艺使用多元醇合成法直接合成出纳米级银线，具有节能环保、简化工艺等优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 金属线 导电 薄膜 | ||
【主权项】：
一种纳米金属线导电薄膜，包括：基座、IC晶片、封装件及用于与外部电连接的导线架，所述IC晶片固定设置于所述导线架上，所述封装件包覆所述IC晶片，其特征在于：所述基座开设有一凹型腔，所述凹型腔具有一开口端，所述导线架和所述IC晶片均设于所述凹型腔的内部，所述导线架及与所述导线架相连接的内脚和外脚形成一容置空间，散热器设置于所述容置空间内。
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