[实用新型]一种磁电阻Z轴梯度传感器芯片

摘要

本实用新型公开了一种磁电阻Z轴梯度传感器芯片，用于探测磁性介质所产生的Z轴磁场分量在XY平面内梯度，其包括Si衬底、分隔Lg距离的两个或两组通量引导器的集合，以及电互连的磁电阻传感单元排列，磁电阻传感单元位于Si衬底上，且位于通量引导器边缘的上方或下方，通量引导器将Z轴磁场分量转变成平行于Si衬底表面并沿磁电阻传感单元的敏感轴方向，磁电阻传感单元电连接成半桥或者全桥梯度计排列，其中相对的桥臂分隔Lg距离，该传感器芯片可以和PCB、PCB+背磁或PCB+背磁+封装壳样式使用，本实用新型实现了利用平面敏感磁阻传感器对Z轴磁场梯度的测量，具有小尺寸、低功耗、比Hall传感器具有更高磁场灵敏度等优点。

主权项

一种磁电阻Z轴梯度传感器芯片，用于探测磁性介质所产生的Z轴方向磁场分量在XY平面内的梯度，其特征在于，所述磁电阻Z轴梯度传感器芯片包括：Si衬底、位于所述Si衬底上的电互连成全桥梯度计或半桥梯度计的磁电阻传感单元、位于所述Si衬底上的两个或两组通量引导器；所述磁电阻传感单元位于所述通量引导器的上方或下方，且具有平行于所述Si衬底表面的敏感方向，所述通量引导器用于将所述磁性介质所产生的Z轴方向磁场分量转变成沿所述磁电阻传感单元的敏感方向；所述每组通量引导器包含至少两个通量引导器，所述两个或两组通量引导器之间的间距为Lg，所述全桥梯度计或半桥梯度计中相对桥臂之间的间距为Lg。