[实用新型]在镓酸锂衬底上外延生长的非极性GaN薄膜有效
| 申请号： | 201420288900.6 | 申请日： | 2014-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN204204894U | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 广州市众拓光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 汤喜友 |
| 地址： | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种在镓酸锂衬底上外延生长的非极性GaN薄膜，它包括LiGaO2衬底,依次生长在LiGaO2衬底上的GaN缓冲层、GaN薄膜；所述LiGaO2衬底以(100)面偏(110)方向0.2-1°为外延面。本实用新型的GaN薄膜具有缺陷密度低、结晶质量好等特点，可广泛应用于LED、LD、太阳能电池等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 镓酸锂 衬底 外延 生长 极性 gan 薄膜 | ||
【主权项】：
在镓酸锂衬底上外延生长的非极性GaN薄膜，其特征在于：它由LiGaO2衬底以及在LiGaO2衬底上的脉冲激光沉积法制备的GaN缓冲层、分子束外延法制备的GaN薄膜组成；所述LiGaO2衬底以(100)面偏(110)方向0.2‑1°为外延面;所述GaN缓冲层的厚度为30‑50 nm；所述GaN薄膜的厚度为100‑300 nm。
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