[实用新型]一种生长在金属铝衬底上的AlN薄膜有效
| 申请号： | 201420289529.5 | 申请日： | 2014-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN204257684U | 公开（公告）日： | 2015-04-08 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 广州市众拓光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L31/0248 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 汤喜友 |
| 地址： | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种生长在金属铝衬底上的AlN薄膜，其包括金属Al衬底、生长在金属Al衬底上的AlN氮化层以及生长在AlN氮化层上的AlN薄膜；所述金属Al衬底以(111)面偏(100)方向0.5～1°为外延面，晶体外延取向关系为AlN(0001)//Al(111)。本实用新型所述的生长在金属铝衬底上的AlN薄膜具有质量高、成本低等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 金属 衬底 aln 薄膜 | ||
【主权项】：
一种生长在金属铝衬底上的AlN薄膜，其特征在于：其包括金属Al衬底、生长在金属Al衬底上的AlN氮化层以及生长在AlN氮化层上的AlN薄膜；所述金属Al衬底以111面偏100面方向0.5～1°为外延面，晶体外延取向关系为AlN的0001面//Al的111面。
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