[实用新型]一种瞬态电压抑制二极管

摘要

本实用新型涉及一种瞬态电压抑制二极管，包括上台体、与上台体底面面接触的中台体和与中台体底面面接触的下台体，上台体和与下台体各自的外侧面均为斜面，此上台体包括第一轻掺杂N型区、第一重掺杂N型区，所述中台体从上至下依次为第一轻掺杂P型区、重掺杂P型区和第二轻掺杂P型区，此下台体包括第二轻掺杂N型区、第二重掺杂N型区；第一重掺杂N型区、第一轻掺杂N型区接触并位于其正上方，所述第二重掺杂N型区、第二轻掺杂N型区接触并位于其正下方。本实用新型降低漏电流中来自表面的漏电流，大大降低整个器件的反向漏电流，从而进一步降低了功耗，避免了器件的局部温升，提高了电路稳定性和可靠性。

主权项

一种瞬态电压抑制二极管，其特征在于：包括上台体（1）、与上台体（1）底面面接触的中台体（2）和与中台体（2）底面面接触的下台体（13），所述上台体（1）和与下台体（13）各自的外侧面均为斜面，此上台体（1）包括第一轻掺杂N型区（3）、第一重掺杂N型区（4），所述中台体（2）从上至下依次为第一轻掺杂P型区（14）、重掺杂P型区（15）和第二轻掺杂P型区（16），此下台体（13）包括第二轻掺杂N型区（5）、第二重掺杂N型区（6）；所述第一重掺杂N型区（4）、第一轻掺杂N型区（3）接触并位于其正上方，所述第二重掺杂N型区（6）、第二轻掺杂N型区（5）接触并位于其正下方；所述中台体（2）中第一轻掺杂P型区（14）与上台体（1）的第一轻掺杂N型区（3）接触形成第一PN结接触面，所述中台体（2）中第二轻掺杂P型区（16）与下台体（13）的第二轻掺杂N型区（5）接触形成第二PN结接触面；一第一钝化保护层（7）覆盖于第一重掺杂N型区（4）上表面的边缘区域和第一重掺杂N型区（4）的侧表面，一第二钝化保护层（8）覆盖于第二重掺杂N型区（6）下表面的边缘区域和第二重掺杂N型区（6）的侧表面，上金属层（9）覆盖于第一重掺杂N型区（4）的中央区域，下金属层（10）覆盖于第二重掺杂N型区（6）的中央区域；所述第一轻掺杂N型区（3）与第一重掺杂N型区（4）接触的上部区域且位于第一轻掺杂N型区（3）边缘的四周区域具有第一中掺杂N型区（11），此第一中掺杂N型区（11）的上表面与第一重掺杂N型区（4）的下表面接触，此第一中掺杂N型区（11）的外侧面延伸至上台体（1）外侧面，所述第一轻掺杂P型区（14）与重掺杂P型区（15）接触的下部区域且位于第一轻掺杂P型区（14）边缘的四周区域具有第一中掺杂P型区（12），此第一中掺杂P型区（12）的下表面与重掺杂P型区（15）的上表面接触，此第一中掺杂P型区（12）的外侧面延伸至中台体（2）外侧面；所述第二轻掺杂N型区（5）与第二重掺杂N型区（6）接触的下部区域且位于第二轻掺杂N型区（5）边缘的四周区域具有第二中掺杂N型区（17），此第二中掺杂N型区（17）的下表面与第二重掺杂N型区（6）的上表面接触，此第二中掺杂N型区（17）的外侧面延伸至下台体（13）外侧面，所述第二轻掺杂P型区（16）与重掺杂P型区（15）接触的上部区域且位于第二轻掺杂P型区（16）边缘的四周区域具有第二中掺杂P型区（18），此第二中掺杂P型区（18）的上表面与重掺杂P型区（15）的下表面接触，此第二中掺杂P型区（18）的外侧面延伸至中台体（2）外侧面。