[实用新型]一种VGF、VB法单晶生长所用的非匀厚p-BN坩埚有效
| 申请号： | 201420306596.3 | 申请日： | 2014-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN203866401U | 公开（公告）日： | 2014-10-08 |
| 发明（设计）人： | 徐兰兰;张学锋 | 申请（专利权）人： | 大庆佳昌晶能信息材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市文洋专利代理事务所(普通合伙) 23210 | 代理人： | 孙淑荣 |
| 地址： | 163000 黑龙江省*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种VGF、VB法单晶生长技术所用的非匀厚p-BN坩埚，VGF、VB法单晶生长所用的非匀厚p-BN坩埚，包括等径部分（1），等径部分（1）上口壁厚为1.02～1.05mm，等径部分（1）内壁与轴线的夹角为1°，等径部分（1）下方为放肩部分（2），放肩部分（2）的壁厚为0.62～0.65mm，等径部分（1）与放肩部分（2）平滑过渡，放肩部分（2）下方为籽晶槽（3），籽晶槽（3）与放肩部分（2）平滑过渡，籽晶槽（3）的厚度为0.54～0.55mm。本实用新型弥补了p-BN坩埚自身热导率的各向异性的不足，改善晶体生长效率，降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 vgf vb 法单晶 生长 所用 非匀厚 bn 坩埚 | ||
【主权项】：
一种VGF、VB法单晶生长所用的非匀厚p‑BN坩埚，包括等径部分（1），其特征是：等径部分（1）上口壁厚为1.02～1.05mm，等径部分（1）内壁与轴线的夹角为1°，等径部分（1）下方为放肩部分（2），放肩部分（2）的壁厚为0.62～0.65mm，等径部分（1）与放肩部分（2）平滑过渡，放肩部分（2）下方为籽晶槽（3），籽晶槽（3）与放肩部分（2）平滑过渡，籽晶槽（3）的厚度为0.54～0.55mm。
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