[实用新型]可靠性高的通讯基站控制器有效

专利信息
申请号: 201420309962.0 申请日: 2014-06-12
公开(公告)号: CN203911470U 公开(公告)日: 2014-10-29
发明(设计)人: 王学宗 申请(专利权)人: 四川联友电讯技术有限公司
主分类号: H02H9/04 分类号: H02H9/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610000 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 实用新型公开了一种可靠性高的通讯基站控制器,它包括控制器和连接在控制器上的电源接口,所述的电源接口上依次连接有整形滤波电路和过压保护电路。其优点是:在与控制器连接的电源接口上连接过压保护电路,对电源电压进行监控并对控制器进行保护,可靠性高。
搜索关键词: 可靠性 通讯 基站 控制器
【主权项】:
可靠性高的通讯基站控制器,它包括控制器和连接在控制器上的电源接口,其特征在于:所述的电源接口上依次连接有整形滤波电路和过压保护电路,所述的过压保护电路包括电阻R4,所述的电阻R4一端同时连接在二极管D2的阴极和二极管D1的阴极上,另一端连接在分压电路上,所述的分压电路包括依次连接的电阻R1、可变电阻R2和电阻R3,所述的电阻R1的非公共端与电阻R4相连,所述的电阻R3的非公共端接地,所述的可变电阻R2的任意一端连接在比较器的同相输入端上,所述的比较器的反相输入端连接在电源上,所述的比较器的输出端连接在场效应管MOS1的栅极上,所述的二极管D1的阳极与场效应管MOS1的源极相连,所述的二极管D1上并联有继电器K,所述的场效应管MOS1的漏极通过电阻R5与地相连,所述的二极管D2的阳极连接在场效应管MOS2的源极上,所述的场效应管MOS2的栅极通过电阻R6连接在源极上,所述的场效应管MOS2漏极接地,所述的二极管D1的阴极上连接有电容C2,电容C2的另一端接地,所述的场效应管MOS1和场效应管MOS2均为N型场效应管。
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