[实用新型]一种低压场效应晶体管有效
| 申请号： | 201420317556.9 | 申请日： | 2014-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN204011435U | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 刘景全;郭杰 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/43 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 郭国中 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种低压场效应晶体管，包括栅区、源区、漏区、沟道区和衬底，所述栅区位于所述沟道区的下方，所述栅区包括栅介质和栅电极，所述栅电极位于所述栅介质之下，所述栅介质采用对离子导电、对电子绝缘的固态多孔材料作为栅介质层，栅介质与沟道区的界面形成一个理论厚度只有1nm的双电层电容，所述所述源区和所述漏区位于所述沟道区的两侧，所述源区、所述漏区和所述栅区设置在所述衬底之上。本实用新型结构设计合理，器件工作电压大大减低；采用二维半导体材料制备沟道区，使得器件可以同时实现电子导电和空穴导电。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低压 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种低压场效应晶体管，包括栅区、源区、漏区、沟道区和衬底，其特征在于:所述栅区位于所述沟道区的下方，所述栅区包括栅介质和栅电极，所述栅电极位于所述栅介质之下，所述源区和所述漏区位于所述沟道区的两侧，所述源区、所述漏区和所述栅区设置在所述衬底之上，所述沟道区采用二维层状半导体材料制成。
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