[实用新型]一种层压结构有效
| 申请号： | 201420347284.7 | 申请日： | 2014-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN204209275U | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 唐纳德·J·斯皮内拉 | 申请（专利权）人： | 美铝公司 |
| 主分类号： | B23K11/20 | 分类号： | B23K11/20;B23K11/36 |
| 代理公司： | 北京市联德律师事务所 11361 | 代理人： | 易咏梅;徐满霞 |
| 地址： | 宾夕法*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种层压结构，其包括：由第一材料制成的第一导电体、由第二材料制成的第二导电体和由第三材料制成的第三导电体，以物理和电接触方式彼此接近设置，所述第一导电体比所述第二和第三导电体具有更低的熔点并且设置在所述第二和第三导电体之间，所述第二导电体延伸穿过所述第一导电体而由电阻焊焊接到所述第三导电体上，所述第一导电体被抓取在所述第二导电体和所述第三导电体之间。该技术可以用于将具有数层不同材料的堆叠体相连接，并且用于连接不同的结构形状。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 层压 结构 | ||
【主权项】：
一种层压结构，包括：由第一材料制成的第一导电体、由第二材料制成的第二导电体和由第三材料制成的第三导电体，以物理和电接触方式彼此接近设置，所述第一导电体比所述第二和第三导电体具有更低的熔点并且设置在所述第二和第三导电体之间，所述第二导电体延伸穿过所述第一导电体而由电阻焊焊接到所述第三导电体上，所述第一导电体被抓取在所述第二导电体和所述第三导电体之间。
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