[实用新型]MEMS 压力传感器和半导体结构

摘要

本实用新型提供一种MEMS压力传感器和半导体结构，包含衬底结构、氧化物层、下电极、上电极和空腔，在所述MEMS压力传感器中，所述上电极为包含第一薄膜层TiN膜、第二薄膜层W膜、第三薄膜层Mo膜的多层薄膜结构，大大增大了上电极和下电极的粘附力，使得所述MEMS压力传感器在使用过程中，上电极和下电极的接触面不会发生剥离，进而改善了所述MEMS压力传感器的性能。

主权项

一种MEMS压力传感器，所述MEMS压力传感器形成在衬底结构上，其特征在于，所述MEMS压力传感器至少包含：下电极，位于所述衬底结构表面；氧化物层，覆盖于所述衬底结构和所述下电极表面；上电极，位于所述氧化物层的上表面；所述上电极为多层薄膜结构，包含第一薄膜层、第二薄膜层和第三薄膜层，所述第一薄膜层位于所述氧化物层上，所述第二薄膜层位于所述第一薄膜层上，所述第三薄膜层位于所述第二薄膜层上；其中，所述第一薄膜层为TiN膜，第二薄膜层为W膜，第三薄膜层为Mo膜；空腔，位于所述上电极和氧化物层之间，且位于所述下电极的上方。