[实用新型]单芯片三轴各向异性磁阻传感器有效
| 申请号： | 201420356614.9 | 申请日： | 2014-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN203932117U | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 闻永祥;范伟宏;王平;刘琛;季锋;邹光祎 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;G01R33/09 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张振军 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州市(*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种单芯片三轴各向异性磁阻传感器，该传感器包括：基底，其表面位于X方向和Y方向确定的平面内，基底的表面具有内凹的沟槽；磁通量集中器，位于沟槽的侧壁上；第一介质层，填充沟槽并覆盖磁通量集中器以及基底的表面；位于第一介质层上的第一磁传感器，检测方向为该X方向；位于第一介质层上的第二磁传感器，检测方向为该Y方向；位于第一介质层上的第三磁传感器，检测方向落入X方向和Y方向确定的平面内；其中，第三磁传感器和磁通量集中器共同形成了检测方向为Z方向的Z方向磁传感器。本实用新型的传感器结构简单，无需垂直封装，并且其制造方法和传统微电子工艺的匹配性好，适合大批量工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 各向异性 磁阻 传感器 | ||
【主权项】：
一种单芯片三轴各向异性磁阻传感器，其特征在于，包括： 基底，所述基底的表面位于X方向和Y方向确定的平面内，该X方向和Y方向相互垂直，所述基底的表面具有内凹的沟槽； 磁通量集中器，位于所述沟槽的侧壁上； 第一介质层，填充所述沟槽并覆盖所述磁通量集中器以及所述基底的表面； 位于所述第一介质层上的第一磁传感器，其检测方向为该X方向； 位于所述第一介质层上的第二磁传感器，其检测方向为该Y方向； 位于所述第一介质层上的第三磁传感器，其检测方向落入所述X方向和Y方向确定的平面内； 其中，所述第三磁传感器和磁通量集中器共同形成了检测方向为Z方向的Z方向磁传感器，该Z方向与所述X方向和Y方向相互垂直。
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