[实用新型]一种半导体结构有效
申请号: | 201420365626.8 | 申请日: | 2014-07-03 |
公开(公告)号: | CN203941899U | 公开(公告)日: | 2014-11-12 |
发明(设计)人: | 殷原梓 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 100176 北京市大兴*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型提供一种半导体结构,至少包括:衬底结构及形成于所述衬底结构表面的铝焊盘;所述铝焊盘表面键合有金球;所述铝焊盘表面设置有若干凸点,所述金球覆盖所述凸点。本实用新型的半导体结构中,凸点的存在可以增加金球与铝焊盘的接触面积,提高金球与铝焊盘之间的粘附力,同时,金球覆盖所述凸点,形成镶嵌结构,可以进一步增强金球与铝焊盘之间的结合力。本实用新型的半导体结构能够有效减少可靠性测试后金球脱离铝焊盘的几率,增加半导体结构的使用次数,降低生产成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 结构 | ||
【主权项】:
一种半导体结构,至少包括:衬底结构及形成于所述衬底结构表面的铝焊盘;所述铝焊盘表面键合有金球;其特征在于:所述铝焊盘表面设置有若干凸点,所述金球覆盖所述凸点。
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