[实用新型]一种半导体结构有效

专利信息
申请号: 201420365626.8 申请日: 2014-07-03
公开(公告)号: CN203941899U 公开(公告)日: 2014-11-12
发明(设计)人: 殷原梓 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488
代理公司: 上海光华专利事务所 31219 代理人: 李仪萍
地址: 100176 北京市大兴*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型提供一种半导体结构,至少包括:衬底结构及形成于所述衬底结构表面的铝焊盘;所述铝焊盘表面键合有金球;所述铝焊盘表面设置有若干凸点,所述金球覆盖所述凸点。本实用新型的半导体结构中,凸点的存在可以增加金球与铝焊盘的接触面积,提高金球与铝焊盘之间的粘附力,同时,金球覆盖所述凸点,形成镶嵌结构,可以进一步增强金球与铝焊盘之间的结合力。本实用新型的半导体结构能够有效减少可靠性测试后金球脱离铝焊盘的几率,增加半导体结构的使用次数,降低生产成本。
搜索关键词: 一种 半导体 结构
【主权项】:
一种半导体结构,至少包括:衬底结构及形成于所述衬底结构表面的铝焊盘;所述铝焊盘表面键合有金球;其特征在于:所述铝焊盘表面设置有若干凸点,所述金球覆盖所述凸点。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201420365626.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top