[实用新型]一种带收敛缺口的高增益半导体单极化振子

摘要

本实用新型公开了一种带收敛缺口的高增益半导体单极化振子；通过优良的结构设计，创造性的将半导体运用到振子片上，将半导体结构与振子结合，通过不断的实验，设计长方形的金属振子片以及外围设有半导体圈，以及金属振子片上的结构设计，其辐射信号流在金属振子片流向长度和速度都得到较大改善，通过大量计算机软件的仿真得出其具有工作频带达到了3000MHz，完全满足4G对频率要求标准，相对带宽达到65.9%，且其具有良好的增益、前后比、交叉极化比特性。

主权项

一种带收敛缺口的高增益半导体单极化振子，包括有一支撑巴伦板（1），其特征在于：所述支撑巴伦板（1）上设有上下对称设置的两个、呈正长方形的金属振子片（3）,用于辐射单极化信号；所述上下两个金属振子片（3）之间设有第一馈电带线（11）,所述支撑巴伦板（1）上设有第一同轴电缆馈电（11a）孔，所述第一同轴电缆馈电（11a）孔与第一馈电带线（11）电连接；所述每个金属振子片（3）的边缘设有外隔离圈（4），所述每个金属振子片（3）上靠近两侧分别设有复数个并排设置的第一隔离阻断孔（6），所述每个金属振子片（3）上的中部还设有复数个并排设置的第二隔离阻断孔（7），第二隔离阻断孔（7）均为圆形；所述外隔离圈（4）为半导体，所述第一隔离阻断孔（6）以及第二隔离阻断孔（7）内均填充设有半导体；所述每个金属振子片（3）远离支撑巴伦板（1）的一侧设有用于整流的整流结构（5），所述整流结构（5）为矩形，所述整流结构（5）包括有复数个并排设置的整流槽，整流槽之间设有整流道（51）；所述整流槽内也均填充设有半导体；所述外隔离圈（4）的靠近整流机构的一侧设有V形的收敛缺口（10）。