[实用新型]生长在W衬底上的GaN薄膜有效
| 申请号： | 201420368656.4 | 申请日： | 2014-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN204067411U | 公开（公告）日： | 2014-12-31 |
| 发明（设计）人： | 李国强;王文樑;刘作莲;杨为家;林云昊;周仕忠;钱慧荣 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/12 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈文姬 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了生长在W衬底上的GaN薄膜，包括生长在W衬底上的AlN缓冲层，生长在AlN缓冲层上的GaN薄膜；所述AlN缓冲层为在400～500℃生长的AlN缓冲层；所述GaN薄膜为在700～800℃生长的GaN薄膜。本实用新型制备的生长在W衬底上的GaN薄膜，具有位错密度低、晶体质量好的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 衬底 gan 薄膜 | ||
【主权项】：
生长在W衬底上的GaN薄膜，其特征在于，包括生长在W衬底上的AlN缓冲层，生长在AlN缓冲层上的GaN薄膜；所述AlN缓冲层为在400～500℃生长的AlN缓冲层；所述GaN薄膜为在700～800℃生长的GaN薄膜。
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