[实用新型]一种蓝宝石绝缘层上覆硅衬底有效
申请号: | 201420374396.1 | 申请日: | 2014-07-08 |
公开(公告)号: | CN204045615U | 公开(公告)日: | 2014-12-24 |
发明(设计)人: | 王晓靁;刘伯彦;钟其龙 | 申请(专利权)人: | 厦门润晶光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/02 | 分类号: | H01L33/02 |
代理公司: | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人: | 李宁 |
地址: | 361000 福建省厦门市火炬*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本实用新型公开一种蓝宝石绝缘层上覆硅衬底,是一种硅-蓝宝石-硅衬底,即顶层为硅主动层,中间层为蓝宝石薄层,底层为硅衬底。制备方法步骤如下:第一步,采用衬底切割技术将抛光蓝宝石薄层均匀切下;第二步,将切下的蓝宝石薄层与硅衬底进行热处理键结;第三步,完成顶层的硅主动层。本实用新型减少了蓝宝石用量,提高了利用率,从而降低整体的生产成本,但仍保有SOS优异特性。采用硅当作衬底主体时更有以下优点:(1)与现有以硅衬底为主流的IC工艺及设备高度整合,有效增进生产效能;(2)作为高频组件衬底散热能力将影响组件设计与效能,由于硅的热传效率显著优于蓝宝石,硅作为衬底主体将有效改进组件散热效能。 | ||
搜索关键词: | 一种 蓝宝石 绝缘 层上覆硅 衬底 | ||
【主权项】:
一种蓝宝石绝缘层上覆硅衬底,其特征在于:是一种硅‑蓝宝石‑硅衬底,即顶层为硅主动层,中间层为蓝宝石薄层,底层为硅衬底。
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