[实用新型]发光二极管有效

专利信息
申请号: 201420375246.2 申请日: 2014-07-08
公开(公告)号: CN204088358U 公开(公告)日: 2015-01-07
发明(设计)人: 陈胜利 申请(专利权)人: 陈胜利
主分类号: H01L33/38 分类号: H01L33/38
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 李芙蓉
地址: 中国台湾台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 实用新型公开了一种发光二极管,包含衬底,衬底上设置有第一型半导体层,第一型半导体层上设置有发光层,发光层上设置有第二型半导体层;该发光二极管还包含回蚀凹部,回蚀凹部与第一型半导体层、发光层以及第二型半导体层邻接;第二型半导体层上设置有第二型电极;回蚀凹部中的第一型半导体层的上表面设置有第一型电极;其中,第二型电极向外延伸在第二型半导体层上形成第二型电极延伸部。该发光二极管能够降低且均匀化第一型电极与第二型电极之间的电场密度,从而能够提升整体的电性性质及抗ESD能力,使得发光二极管具有更佳的可靠度与使用寿命。
搜索关键词: 发光二极管
【主权项】:
一种发光二极管,其特征在于,所述发光二极管包含:衬底;第一型半导体层,所述第一型半导体层设置在所述衬底上;发光层,所述发光层设置在所述第一型半导体层上;第二型半导体层,所述第二型半导体层设置在所述发光层上;第二型电极,所述第二型电极设置在所述第二型半导体层上;回蚀凹部,所述回蚀凹部在深度方向上穿过所述第二型半导体层的全部深度、所述发光层的全部深度、及所述第一型半导体层的部分深度,所述回蚀凹部与所述第二型半导体层、所述发光层、及所述第一型半导体层邻接;以及第一型电极,所述第一型电极设置在所述回蚀凹部中的所述第一型半导体层的上表面;其中,所述第二型电极向外延伸在所述第二型半导体层上形成第二型电极延伸部。
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