[实用新型]一种垂直沟道恒流二极管有效
| 申请号： | 201420380488.0 | 申请日： | 2014-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN204577402U | 公开（公告）日： | 2015-08-19 |
| 发明（设计）人： | 肖步文 | 申请（专利权）人： | 无锡信荣电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/861 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种垂直沟道恒流二极管，其特征在于采用了N-型硅单晶片作为衬底材料，芯片正面有两个P+扩散区，两个P+扩散区之间夹着一个N+扩散区，P+区和N+区通过氧化层窗口与负电极金属相连接。芯片背面经过减薄处理，背面高浓度的P+注入层与正电极金属连接。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 沟道 二极管 | ||
【主权项】：
一种垂直沟道恒流二极管，其特征在于衬底为N‑型硅单晶衬底（1），N‑型硅单晶衬底（1）正面有两个P+扩散区（2），两个P+扩散区之间有一个N+扩散区（3），表面有绝缘氧化层（4），并分别在P+扩散区（2）和N+扩散区（3）开有窗口，P+扩散区（2）和N+扩散区（3）通过窗口与负电极金属（5）相连接，N‑型硅单晶衬底（1）背面有P+注入层（6）与正电极金属（7）连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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