[实用新型]基于折叠漂移区的SOI耐压结构及功率器件有效
| 申请号： | 201420386839.9 | 申请日： | 2014-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN203941904U | 公开（公告）日： | 2014-11-12 |
| 发明（设计）人： | 李琦;李海鸥;左园;翟江辉 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 45107 | 代理人： | 陈跃琳 |
| 地址： | 541004 广*** | 国省代码： | 广西;45 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开一种基于折叠漂移区的SOI耐压结构及功率器件，包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层和有源层，所述有源层内还设有叉指介质槽；该叉指介质槽由至少一个从有源层表面向下延伸的下延介质槽和至少一个从介质埋层表面向上延伸的上延介质槽构成；其中下延介质槽和上延介质槽的高度均小于有源层的厚度，且下延介质槽和上延介质槽在有源层内相互交错设置，每2个相邻的下延介质槽和/或上延介质槽之间存在间隙。本实用新型通过在功率器件半导体有源层和介质埋层之间设置有多个叉指介质槽来提高横向和纵向耐压，并使得器件的阻断特性获得显著改善。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 折叠 漂移 soi 耐压 结构 功率 器件 | ||
【主权项】：
基于折叠漂移区的SOI耐压结构，包括自下而上依次叠放的衬底层(8)、介质埋层(9)和有源层(4)，其特征在于：所述有源层(4)内还设有叉指介质槽(15)；该叉指介质槽(15)由至少一个从有源层(4)表面向下延伸的下延介质槽和至少一个从介质埋层表面(9)向上延伸的上延介质槽构成；其中下延介质槽和上延介质槽的高度均小于有源层(4)的厚度，且下延介质槽和上延介质槽在有源层内(4)相互交错设置，每2个相邻的下延介质槽和/或上延介质槽之间存在间隙。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桂林电子科技大学，未经桂林电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201420386839.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种双向瞬态电压抑制保护器件
- 下一篇：一种像素结构、阵列基板和显示装置
- 同类专利
- 专利分类
