[实用新型]内置ARM芯片的农网支线末端电压智能优化平衡装置有效

专利信息
申请号: 201420396337.4 申请日: 2014-07-18
公开(公告)号: CN204103491U 公开(公告)日: 2015-01-14
发明(设计)人: 单义峰 申请(专利权)人: 北京中联电科技术有限公司
主分类号: H02J3/18 分类号: H02J3/18;H02J3/26
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100098 北京市海淀区大*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型公布了一种内置ARM芯片的农网支线末端电压智能优化平衡装置,安装于支线末端,该装置包括内置ARM芯片来同步调节电阻、电容和电感的复合同步开关(1)、内置ARM芯片的智能编码开关(2)和IGBT无功补偿控制器(3)。该装置可用于供电质量差、电压不稳定、三相不平衡的农村电网支线末端,可以完成电压优化,有效平衡有功功率和无功功率,调整三相平衡等多项功能。在不增加10kV线路、不新增加配电变压器、不改造低压线路的情况下,通过将有功功率移相技术+就地无功补偿技术+过补偿技术结合使用,达到提升低电压、三相平衡优化的目的,有效的解决农村配变台区低压线路中末端电压不合格和三相不平衡的问题。
搜索关键词: 内置 arm 芯片 支线 末端 电压 智能 优化 平衡 装置
【主权项】:
一种内置ARM芯片的农网支线末端电压智能优化平衡装置,其特征在于,安装于支线末端,该装置包括内置ARM芯片来同步调节电阻、电容和电感的复合同步开关(1)、内置ARM芯片的智能编码开关(2)和IGBT无功补偿控制器(3); 所述内置ARM芯片来同步调节电阻、电容和电感的复合同步开关(1)与内置ARM芯片的智能编码开关(2)并联后与IGBT无功补偿控制器(3)串联,并形成回路; 所述内置ARM芯片来同步调节电阻、电容和电感的复合同步开关(1)通过内置ARM芯片调节在两相间跨接的电阻阻值实现在两相间转移无功; 所述内置ARM芯片来同步调节电阻、电容和电感的复合同步开关(1)通过内置ARM芯片调节在两相间跨接的电感或者电容实现在两相间转移有功功率; 所述内置ARM芯片的智能编码开关(2)通过内置ARM芯片将需要的电阻、电容和电感元件智能编组接在不同的相线对零线之间,即可抵消零线电流; 所述IGBT无功补偿控制器(3)通过对电压变化的监测,适时投切无功补偿,对电压形成有效补偿。 
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