[实用新型]生长在Zr衬底上的GaN薄膜有效
| 申请号： | 201420397550.7 | 申请日： | 2014-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN204130576U | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 李国强;王文樑;杨为家;刘作莲;林云昊;周仕忠;钱慧荣 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/32 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈文姬 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了生长在Zr衬底上的GaN薄膜，由下至上依次包括Zr衬底上和GaN薄膜；所述GaN薄膜为在500～700℃生长的GaN薄膜。本实用新型的生长在Zr衬底上的GaN薄膜具有位错密度低、晶体质量好的优点，且Zr衬底容易获得，价格便宜，有利于降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 zr 衬底 gan 薄膜 | ||
【主权项】：
生长在Zr衬底上的GaN薄膜，其特征在于，由下至上依次包括Zr衬底上和GaN薄膜；所述GaN薄膜为在500～700℃生长的GaN薄膜。
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