[实用新型]一种反极性AlGaInP基发光二极管有效
| 申请号： | 201420410292.1 | 申请日： | 2014-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN204011466U | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 陈亮;杨凯;马祥柱;白继锋;陈宝;李忠辉 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/02 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种反极性AlGaInP基发光二极管，属于光电子技术领域，在Si衬底一面依次设置粘结层、反射镜层、p-GaP窗口层、p-AlGaInP限制层、MQW多量子阱有源层和n-AlGaInP限制层，在Si衬底的另一面设置p电极和n扩展电极，所述n扩展电极与p电极电学连接，在所述n-AlGaInP限制层上设置n主电极；在n-AlGaInP限制层上还图形化地设置ｎ型砷化镓欧姆接触层，在ｎ型砷化镓欧姆接触层上通过第一可粗化n-AlGaInP层设置n扩展电极。本实用新型提高了电极与外延层的附着性和完整性，确保发光器件工作电压稳定，极大地提升了产品的质量和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 极性 algainp 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种反极性AlGaInP基发光二极管，包括设置在Si衬底一面的粘结层，在所述粘结层上依次设置反射镜层、p‑GaP窗口层、p‑AlGaInP限制层、MQW多量子阱有源层和n‑AlGaInP限制层，在Si衬底的另一面设置p电极和n扩展电极，所述n扩展电极与p电极电学连接，在所述n‑AlGaInP限制层上设置n主电极；其特征在于在所述n‑AlGaInP限制层上还图形化地设置ｎ型砷化镓欧姆接触层，在所述ｎ型砷化镓欧姆接触层上通过第一可粗化n‑AlGaInP层设置n扩展电极。
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