[实用新型]多结太阳能电池外延结构有效
| 申请号： | 201420416573.8 | 申请日： | 2014-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN204167334U | 公开（公告）日： | 2015-02-18 |
| 发明（设计）人： | 李华;颜建;吴文俊;王伟明 | 申请（专利权）人： | 李华;杨军;王伟明;国电科技环保集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0725 | 分类号： | H01L31/0725;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 杨娟奕 |
| 地址： | 214213 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 公开了一种多结太阳能电池外延结构，包括：下层子电池；缓冲层；和上层子电池，所述上层子电池的晶格常数与下层子电池的晶格常数不匹配，并且所述上层子电池以所述下层子电池为基底进行生长；其中，缓冲层位于下层子电池和上层子电池之间，被配置用于减小由下层子电池和上层子电池之间的晶格失配引起的缺陷；其中，所述缓冲层包括靠近下层子电池设置的反向缓冲区，所述反向缓冲区的晶格常数与下层子电池的晶格常数相匹配。本实用新型的多结太阳能电池外延结构能够减小在多结太阳能电池中由于上下层子电池之间晶格不匹配引起的在下层子电池中的缺陷，从而提高整个电池的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种多结太阳能电池外延结构，其特征在于，包括：下层子电池；缓冲层；和上层子电池，所述上层子电池的晶格常数与下层子电池的晶格常数不匹配，并且所述上层子电池以所述下层子电池为基底进行生长；其中，缓冲层位于下层子电池和上层子电池之间，并被配置成减小由下层子电池和上层子电池之间的晶格失配引起的缺陷；其中，所述缓冲层包括靠近下层子电池设置的反向缓冲区，所述反向缓冲区的晶格常数与下层子电池的晶格常数相匹配。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
