[实用新型]一种湿法刻蚀机及其刻蚀槽有效
| 申请号： | 201420420427.2 | 申请日： | 2014-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN203967049U | 公开（公告）日： | 2014-11-26 |
| 发明（设计）人： | 吴成新;李建朋;李永洋;王海涛;王月超;梁楠楠;康莹 | 申请（专利权）人： | 天津英利新能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 301510 天津市滨海新区津汉公*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种湿法刻蚀机的刻蚀槽，包括工艺槽和溢流槽，工艺槽底部设有注液管道，溢流槽底部设有回流管道；工艺槽的数量为至少两个，各工艺槽之间设置至少一个溢流槽，刻蚀槽的两端分别为溢流槽。硅片通过刻蚀槽时交替通过溢流槽和工艺槽，硅片经过工艺槽时接触药液；经过溢流槽时会沾有部分药液，然后硅片将经过下一个工艺槽，重复上述过程，硅片通过刻蚀槽的过程中一直与药液反应。刻蚀槽内的工艺槽与溢流槽间隔分布，减少了需要注满药液的体积，同时也减少了药液的挥发。该刻蚀槽不改变药液浓度，不影响产品质量，降低药液的消耗，提高药液的利用率。本实用新型还公开了一种湿法刻蚀机。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 湿法 刻蚀 及其 | ||
【主权项】：
一种湿法刻蚀机的刻蚀槽，包括工艺槽(102)和溢流槽(103)，所述工艺槽(102)底部设有注液管道(6)，所述溢流槽(103)底部设有回流管道(7)；其特征在于，所述工艺槽(102)的数量为至少两个，各所述工艺槽(102)之间设置至少一个所述溢流槽(103)，所述刻蚀槽(1)的两端分别为所述溢流槽(103)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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