[实用新型]晶圆级芯片用喷涂装置有效
申请号: | 201420434285.5 | 申请日: | 2014-08-04 |
公开(公告)号: | CN204029766U | 公开(公告)日: | 2014-12-17 |
发明(设计)人: | 赖芳奇;张志良;吕军;陈胜 | 申请(专利权)人: | 苏州科阳光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 马明渡;王健 |
地址: | 215143 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开一种晶圆级芯片用喷涂装置,所述晶圆级芯片表面的四周边缘区域分布有若干个盲孔;所述晶圆级静电喷涂装置包括腔体、金属托盘、喷嘴和静电发生器,所述喷嘴上端安装有高压气体输入管,喷嘴侧壁安装有用于传输保护光阻液的液体传输管,所述金属托盘设置于腔体底部的中央区域,所述静电发生器的第一电极输出端通过导线连接到金属托盘,所述静电发生器的第二电极输出端通过导线连接到喷嘴,所述晶圆级芯片放置于所述金属托盘上表面上。本实用新型有利于在高深宽比的盲孔内,将保护光阻液均匀覆盖于盲孔四壁、底部,提升产品性能,也提高了后续显影的精度,进一步提升电性能、产品可靠性和良率。 | ||
搜索关键词: | 晶圆级 芯片 喷涂 装置 | ||
【主权项】:
一种晶圆级芯片用喷涂装置,其特征在于:所述晶圆级芯片(1)表面的四周边缘区域分布有若干个盲孔(2),所述晶圆级芯片(1)表面和盲孔(2)侧表面、底部具有钝化层(3),位于此盲孔(2)底部钝化层(3)下方具有氧化硅层(4),一引脚焊盘(5)位于氧化硅层(4)与盲孔(2)相背的一侧且位于盲孔(2)正下方;所述晶圆级静电喷涂装置(6)包括腔体(7)、金属托盘(8)、喷嘴(9)和静电发生器(10),所述喷嘴(9)上端安装有高压气体输入管(11),喷嘴(9)侧壁安装有用于传输保护光阻液的液体传输管(12),所述金属托盘(8)设置于腔体(7)底部的中央区域,所述静电发生器(10)的第一电极输出端通过导线连接到金属托盘(8),所述静电发生器(10)的第二电极输出端通过导线连接到喷嘴(9),所述晶圆级芯片(1)放置于所述金属托盘(8)上表面上,至少2个固定于金属托盘(8)边缘区域的压爪(13)夹持所述晶圆级芯片(1)边缘区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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