[实用新型]基片处理的控制设备有效
| 申请号： | 201420447969.9 | 申请日： | 2014-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN204011376U | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 熊丹 | 申请（专利权）人： | 熊丹 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677;H01L31/18 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 523011 广东省东莞市南城*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本实用新型的基片处理的控制设备，包括处理装置、分别与所述处理装置接应的第一传送机构及第二传送机构。所述第一传送机构用于将待加热的基片组传送至所述处理装置。所述处理装置包括若干加热装置，所述加热装置用于定时接收待加热的所述基片组并进行加热，所述处理装置将达到加热周期的所述基片组所对应的加热装置移动至所述第二传送机构的位置，形成空载状态后的所述加热装置接收下一待加热的基片组并进行加热。所述第二传送机构用于将达到加热周期的所述基片组传送至下一平台。本实用新型的基片处理的控制设备能在一个加热周期内同时对多组基片组进行加热，则每片基片的加热周期大大缩短，从而大大提高工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 控制 设备 | ||
【主权项】：
一种基片处理的控制设备，包括：处理装置、分别与所述处理装置接应的第一传送机构及第二传送机构，其特征在于： 所述第一传送机构用于将待加热的基片组传送至所述处理装置； 所述处理装置包括若干加热装置，所述加热装置用于定时接收待加热的所述基片组并对待加热的所述基片组加热，所述处理装置将达到加热周期的所述基片组所对应的加热装置移动至所述第二传送机构的位置，形成空载状态后的所述加热装置接收下一待加热的基片组并进行加热； 所述第二传送机构用于将达到加热周期的所述基片组传送至下一平台。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于熊丹;，未经熊丹;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201420447969.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
