[实用新型]一种半导体硅片蚀刻槽有效
| 申请号： | 201420449567.2 | 申请日： | 2014-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN204029779U | 公开（公告）日： | 2014-12-17 |
| 发明（设计）人： | 王天峰 | 申请（专利权）人： | 山东芯诺电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人： | 肖健 |
| 地址： | 272100 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型的一种半导体硅片蚀刻槽，包括带顶板的槽体，所述槽体的顶板上方设置有向上凸起的圆环形凸沿，凸沿内中心的顶板上设置有方形的开口，凸沿配合有可扣合在凸沿内的圆形端盖，端盖顶部设置有把手；所述槽体的侧壁分为内侧壁和外侧壁，所述内侧壁和外侧壁之间设置有通制冷剂的盘管，所述盘管外接有空调压缩机。本实用新型的有益效果是：提高了密封性，防止酸液飞溅对操作人员造成损伤。制冷效果好，能够及时有效地降温，使混合酸液的温度保持在一定范围，保证了整个硅片上或整批硅片上所形成沟槽的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 硅片 蚀刻 | ||
【主权项】：
一种半导体硅片蚀刻槽，包括带顶板的槽体，其特征在于：所述槽体的顶板上方设置有向上凸起的圆环形凸沿，凸沿内中心的顶板上设置有方形的开口，凸沿配合有可扣合在凸沿内的圆形端盖，端盖顶部设置有把手；所述槽体的侧壁分为内侧壁和外侧壁，所述内侧壁和外侧壁之间设置有通制冷剂的盘管，所述盘管外接有空调压缩机；所述空调压缩机信号连接有控制器，所述槽体内设置有与控制器信号连接的温度传感器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
