[实用新型]全覆盖式扩展电极结构的发光二极管

摘要

全覆盖式扩展电极结构的发光二极管，属于光电子技术领域，特别涉及发光二极管的制造技术领域。本实用新型包括在Si衬底一面依次设置的金属粘结层、反射镜层、窗口层、限制层、多量子阱有源层和n-AIGaInP限制层，在n-AIGaInP限制层上设置图形化的n-GaAs欧姆接触层，在n-GaAs欧姆接触层上设置n扩展电极层，n扩展电极层的尺寸大于图案化n-GaAs欧姆接触层尺寸，且n扩展电极层的外缘连接在n-AIGaInP限制层上。本实用新型由于以上设计既保证了扩展电极层与ｎ型砷化镓欧姆接触层的充分结合，形成良好的欧姆接触，同时又对于图案化ｎ型砷化镓欧姆接触层起到了充分的保护作用，提高了电极与外延层的附着性和完整性，确保发光器件工作电压稳定，提高产品的良品率。

主权项

全覆盖式扩展电极结构的发光二极管，包括在Si衬底一面依次设置的金属粘结层、反射镜层、p‑GaP窗口层、p‑AIGaInP限制层、MQW多量子阱有源层和n‑AIGaInP限制层，在n‑AIGaInP限制层上分别设置n主电极和图形化的n‑GaAs欧姆接触层，在n‑GaAs欧姆接触层上设置n扩展电极层，n扩展电极层与n主电极电学连接；在Si衬底的另一面设置p电极；其特征在于所述n扩展电极层的尺寸大于图案化n‑GaAs欧姆接触层尺寸，且n扩展电极层的外缘连接在n‑AIGaInP限制层上。