[实用新型]一种MOSFET管防反接电路有效
| 申请号： | 201420463220.3 | 申请日： | 2014-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN204156524U | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 周厚明;程峰 | 申请（专利权）人： | 武汉迈威光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H02H11/00 | 分类号： | H02H11/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 430073 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种MOSFET管防反接电路，利用MOS管的开关特性和低导通电阻特性，可克服使用二极管的常规防反电路所带来的压降以及功率损耗较大的缺陷，对减少电源接反时给负载所带来的损害有很好的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 反接 电路 | ||
【主权项】：
一种MOSFET管防反接电路，其特征在于：所述的MOS管为P沟道MOSFET,漏D极直接与电源输入端相连，源S极直接与电源输出端相连，栅G极直接与两颗分压电阻的公共端相连，分压电阻一端接地，一端接输出。
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