[实用新型]发光二极管有效
申请号: | 201420465984.6 | 申请日: | 2014-08-18 |
公开(公告)号: | CN204167323U | 公开(公告)日: | 2015-02-18 |
发明(设计)人: | 吴世熙;金每恞;李剡劤;梁明学;尹馀镇 | 申请(专利权)人: | 首尔伟傲世有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/38;H01L33/62 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩芳;刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 在此公开了一种发光二极管。所述发光二极管包括多个发光单元和使发光单元彼此连接的互连件,其中,互连件中的至少一个包括公共地电连接到两个发光单元的公共阴极;每个发光单元包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及设置在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的活性层;所述两个发光单元共用第一导电型半导体层;透明电极层连续地设置在所述两个发光单元之间,并且公共阴极通过透明电极层电连接到所述两个发光单元。根据本实用新型的实施例,所述发光二极管可以防止/减轻在上半导体层的边缘处的电流拥挤。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 | ||
【主权项】:
一种发光二极管,其特征在于,所述发光二极管包括:多个发光单元;以及互连件,使发光单元彼此连接,其中,互连件中的至少一个包括公共地电连接到两个发光单元的公共阴极;每个发光单元包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及设置在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的活性层;所述两个发光单元共用第一导电型半导体层;其中,透明电极层连续地设置在所述两个发光单元之间,并且公共阴极通过透明电极层电连接到所述两个发光单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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