[实用新型]高压半导体器件有效
| 申请号： | 201420484361.3 | 申请日： | 2014-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN204130544U | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 陈胜利 | 申请（专利权）人： | 陈胜利 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种高压半导体器件，包含：一衬底、一设置于衬底上的第一型井、一第二型源极、一设置于第一型井的第一型体极、一部分覆盖于第一型井的栅极以及一第二型漏极，第二型漏极设置于该衬底上并藉由一漂移区而将该第二型漏极与该第一型井相间隔，其中漂移区内设置有一第一型区块与一第二型区块且为交错设置，能降低元器件的整体导通电阻、提高高压半导体器件的二次崩溃电流，使高压半导体器件具有良好的抗静电放电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种高压半导体器件，其特征在于，其包含：一衬底；一第一型井，设置于该衬底上，该第一型井容置一器件体区，该器件体区内设置有一第二型源极及一第一型体极；一栅极，设置为部分覆盖于该第一型井；以及一第二型漏极，设置于该衬底上并藉由一漂移区而将该第二型漏极与该第一型井相间隔，其中该漂移区内设置有一第一型区块与一第二型区块，且该第一型区块与该第二型区块为交错设置。
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