[实用新型]一种激光器驱动电路有效

专利信息
申请号: 201420499838.5 申请日: 2014-08-27
公开(公告)号: CN204144664U 公开(公告)日: 2015-02-04
发明(设计)人: 李松涛;赵爱林;高亚鉴;张晓宏 申请(专利权)人: 华北电力大学(保定)
主分类号: H01S3/09 分类号: H01S3/09
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 071003 河*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 一种激光器驱动电路,当MOS管M1和M2同时导通时,电感L1储能,变压器T2不向次级输出能量,M1关断,变压器T2将电感L1中的能量输出到次级,又M1和M2同时导通,L1再次储能,关断M2,变压器T2再次向次级输出能量,如此循环。变压器T2两个初级线圈中点的电压会高于输入电压,再经过变压器T2的再一级升压得到次级所需要的电压。电容C1上的电压略高于负载所需要的电压时,关断M1和M2,不再给电容C1充电,电容C1通过电阻R1-R3缓慢放电,达到负载所需电压时,触发可控硅THY1,电容C1向负载放电,放电电流为零时,可控硅THY1自行关断,完成一次脉冲放电。然后再开启M1和M2,进行下一个脉冲放电过程,如此循环。
搜索关键词: 一种 激光器 驱动 电路
【主权项】:
一种激光器驱动电路,包括:正输入端Vin+和负输入端Vin‑,其中正输入端Vin+分别连接电感L1和电阻R5的一端,电感L1的另外一端连接变压器T2初级线圈的中间点,其特征在于:变压器T2初级线圈的两个输入端中的一个分别连接MOS管M2的漏极和TVS管Z1的阴极,变压器T2初级线圈的两个输入端中的另外一个分别连接MOS管M1的漏极和TVS管Z2的阴极,变压器T2次级线圈的两个输出端中的一个分别连接到二极管D1的阳极和二极管D3的阴极,另外一个输出端分别连接到二极管D2的阳极和二极管D4的阴极,二极管D1和二极管D2阴极相连后分别连接至电容C1的一端、电阻R1的一端以及可控硅THY1的阳极,二极管D3和二极管D4的阳极连接后分别连接到电容C1的另外一端、电容C2的一端、电阻R2的一端、隔离电压采样VSEN1的一输入端以及负载的一端,电阻R1的另外一端与电阻R3的一端连接,电阻R3的另外一端分别连接至隔离电压采样VSEN1的另外一输入端、电阻R2的另外一端以及电容C2的另外一端,可控硅的阴极分别连接至负载的另外一端和变压器T1次级线圈的一输出端,可控硅的G门连接至变压器T1次级线圈的另外一输出端,电阻R5的另外一端分别连接至电阻R6的一端、电容C3的一端以及变压器T1初级线圈的一输入端,其中的负输入端Vin‑分别连接至MOS管M3的源极、电阻R4的一端、电阻R6的另外一端、电容C3的另外一端、MOS管M1和M2的源极以及TVS管Z1和Z2的阳极,其中MOS管M2的门极连接至电阻R7的一端,MOS管M1的门极连接至电阻R8的一端,电阻R7的另外一端通过驱动电路Q1连接至MCU,电阻R8的另外一端通过驱动电路Q2连接至MCU,电阻R4的另外一端分别连接至MCU和隔离电压采样VSEN1的输出端,MOS管M3的门极连接至MCU,漏极连接至变压器T1初级线圈的另外一个输入端。 
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