[实用新型]插片式IGBT吸收电容器有效
| 申请号： | 201420506819.0 | 申请日： | 2014-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN204189615U | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 石宝宏;朱承彪;王超 | 申请（专利权）人： | 南京天正容光达电子（集团）有限公司 |
| 主分类号： | H01G2/00 | 分类号： | H01G2/00 |
| 代理公司： | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人： | 顾进 |
| 地址： | 211103 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种插片式IGBT吸收电容器，其包括有电容芯组，以及连接于电容芯组之上的插片端子；所述插片式IGBT吸收电容器中，电容芯组与插片端子之间通过金属片进行连接；采用上述技术方案的插片式IGBT吸收电容器，其采用铜箔在电容芯组与插片端子之间进行连接，从而使得其相较于传统的吸收电容器，过电流面积得以有效增加，进而使得电容器的过电流能力得以有效改善；同时，上述插片式IGBT吸收电容器中，其所采用的铜箔连接方式通过现有的加工技术即可实现，从而避免电容芯组与插片端子进行一体化连接而产生的高昂生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 插片式 igbt 吸收 电容器 | ||
【主权项】：
一种插片式IGBT吸收电容器，其包括有电容芯组，以及连接于电容芯组之上的插片端子；其特征在于，所述插片式IGBT吸收电容器中，电容芯组与插片端子之间通过金属片进行连接。
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