[实用新型]一种背照式图像传感器像素结构

摘要

本实用新型公开了一种背照式图像传感器像素结构，图像传感器像素中，复位晶体管、源跟随晶体管、选择晶体管制作在半导体基体的正面，电荷传输晶体管制作在半导体基体的内部，光电二极管制作在晶体管器件下方的半导体基体中；电荷传输晶体管的沟道包括漂浮有源区、N型离子区、光电二极管N型区三部分，三部分相互接触，并且N型离子区位于漂浮有源区下方，光电二极管N型区位于N型离子区下方；相邻像素的光电二极管之间设置有P型离子隔离区。光电二极管最大程度地占据了整个像素面积，扩大了光电二极管有源区的填充率，有效提高了背照式图像传感器像素结构的感光灵敏度。

主权项

一种背照式图像传感器像素结构，包括光电二极管、电荷传输晶体管、复位晶体管、源跟随晶体管、选择晶体管、漂浮有源区，其特征在于，所述复位晶体管、源跟随晶体管、选择晶体管制作在半导体基体的正面，所述电荷传输晶体管制作在半导体基体的内部，所述光电二极管制作在晶体管器件下方的半导体基体中； 所述电荷传输晶体管的沟道包括漂浮有源区、N型离子区、光电二极管N型区三部分，三部分相互接触，并且N型离子区位于漂浮有源区下方，光电二极管N型区位于N型离子区下方； 相邻像素的光电二极管之间设置有P型离子隔离区。