[实用新型]接触孔偏移量测结构有效
| 申请号： | 201420508935.6 | 申请日： | 2014-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN204216010U | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 蔡孟峰;黄晨 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种接触孔偏移量测结构，其至少包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的对称分布的两组量测图形，所述量测图形包括形成在所述半导体衬底表面的有源区和等间距排布在所述有源区上的多晶硅栅桥；位于其中一组量测图形上的第一接触孔图形，所述第一接触孔图形包括以相同间距排布在所述有源区上的接触孔组；其中，各接触孔组之间的间距大于各多晶硅栅桥之间的间距，所述接触孔组与所述多晶硅栅桥交错间隔分布，且每个接触孔组和与其邻近的多晶硅栅桥之间具有不同的预设偏移量；位于另一组量测图形上的与所述第一接触孔图形呈镜像对称分布的第二接触孔图形。本实用新型能够通过电学量测检测到接触孔的偏移，简单实用，量测精度高。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 偏移 结构 | ||
【主权项】：
一种接触孔偏移量测结构，其特征在于，所述接触孔偏移量测结构至少包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的对称分布的两组量测图形，所述量测图形包括形成在所述半导体衬底表面的有源区和等间距排布在所述有源区上的多晶硅栅桥；位于其中一组量测图形上的第一接触孔图形，所述第一接触孔图形包括以相同间距排布在所述有源区上的接触孔组；其中，各接触孔组之间的间距大于各多晶硅栅桥之间的间距，所述接触孔组与所述多晶硅栅桥交错间隔分布，且每个接触孔组和与其邻近的多晶硅栅桥之间具有不同的预设偏移量；以及，位于另一组量测图形上的第二接触孔图形，所述第二接触孔图形与所述第一接触孔图形呈镜像对称分布。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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