[实用新型]一种半导体结构有效
| 申请号： | 201420512511.7 | 申请日： | 2014-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN204045595U | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 刘媛娜 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/36 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体结构，所述半导体结构包括离子掺杂层、氧化物层、多晶硅层和氮化钛层。所述半导体结构在所述设有离子掺杂区域的离子掺杂层上形成一层氮化钛保护层，在使用X射线等高能量射线对所述半导体结构进行测试时，可以保护所述离子掺杂区域内的掺杂离子不受所述X射线等高能量射线的破坏，使得所述掺杂离子的离子掺杂层的性能比较稳定；在所述离子掺杂层上设有氧化物层和多晶硅层，可以使得所述离子掺杂区域内的离子掺杂更加均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，所述半导体结构包括离子掺杂层，所述离子掺杂层包括离子掺杂区域，所述离子掺杂区域内注入有掺杂离子，其特征在于，所述离子掺杂区域上设有氮化钛层。
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