[实用新型]一种N型局域铝背晶体硅太阳能电池有效
申请号: | 201420527350.9 | 申请日: | 2014-09-15 |
公开(公告)号: | CN204067375U | 公开(公告)日: | 2014-12-31 |
发明(设计)人: | 夏正月;高艳涛;崔会英;钱亮;何锐;张斌;邢国强 | 申请(专利权)人: | 奥特斯维能源(太仓)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/056;H01L31/0224;H01L31/068 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 刘燕娇 |
地址: | 215434 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种N型局域背结晶体硅太阳能电池,以N型硅片作为基体,从上至下依次叠层银电极、氮化硅减反膜、磷扩散层、硅基体、钝化膜、铝层和发射结;所述钝化膜上设有点阵列或者线阵列图形,铝浆烧结形成的发射结透过钝化膜上的图形与硅基体局域接触;本实用新型通过采用将背面反型层钝化技术与局域铝背结相结合,本实用新型的铝发射结的作用为:发射结和背面金属化,省略了高温扩硼对硅片基体的影响,大幅度降低了生产成本,降低能耗,减少环境污染,本实用新型具有高效低成本等特点,且制备方法步骤简单,操作方便,具有良好的经济效益和环境效益。 | ||
搜索关键词: | 一种 局域 晶体 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种N型局域背结晶体硅太阳能电池,其特征在于:以N型硅片作为基体,从上至下依次叠层银电极、氮化硅减反膜、磷扩散层、硅基体、钝化膜、铝层和发射结;所述钝化膜上设有点阵列或者线阵列图形,铝浆烧结形成的发射结透过钝化膜上的图形与硅基体局域接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的