[实用新型]一种碳化硅化学气相沉积设备有效
申请号: | 201420532828.7 | 申请日: | 2014-09-17 |
公开(公告)号: | CN204097561U | 公开(公告)日: | 2015-01-14 |
发明(设计)人: | 戴煜;胡祥龙;周岳兵 | 申请(专利权)人: | 湖南顶立科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/32 | 分类号: | C23C16/32;C23C16/455;C23C16/448;C23C16/52 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 赵青朵 |
地址: | 410118 湖南省长沙市长*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种碳化硅化学气相沉积设备,包括:化学气相沉积室;与所述化学气相沉积室相通的惰性气体进气管道;与所述化学气相沉积室相通的工艺气体进气管道,所述工艺气体进气管道包括:与所述化学气相沉积室相通的混合装置,分别与所述混合装置相连通的第一、第二、第三和第四工艺气体进气管道;每一路工艺气体进气管道上都依次设置有控制阀门、体积流量计和质量流量控制器。本实用新型首先采用体积流量计对每一路工艺气体的流量实现初步控制,再采用质量流量控制器对各路工艺气体的流量实现精确控制,从而实现了碳化硅化学气相沉积工艺的高精度控制。 | ||
搜索关键词: | 一种 碳化硅 化学 沉积 设备 | ||
【主权项】:
一种碳化硅化学气相沉积设备,其特征在于,包括:化学气相沉积室;与所述化学气相沉积室相通的惰性气体进气管道;与所述化学气相沉积室相通的工艺气体进气管道,所述工艺气体进气管道包括:与所述化学气相沉积室相通的混合装置,分别与所述混合装置相连通的第一工艺气体进气管道、第二工艺气体进气管道、第三工艺气体进气管道和第四工艺气体进气管道;所述第一工艺气体进气管道依次设置有控制阀门、体积流量计和质量流量控制器;所述第二工艺气体进气管道依次设置有控制阀门、体积流量计和质量流量控制器;所述第三工艺气体进气管道依次设置有控制阀门、体积流量计和质量流量控制器;所述第四工艺气体进气管道上依次设置有控制阀门、体积流量计和质量流量控制器。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的