[实用新型]一种含量子阱结构的三结太阳能电池

摘要

本实用新型公开了一种含量子阱结构的三结太阳能电池，从下至上依次包括有作为衬底的第一子电池、第一隧穿结、第二子电池、第二隧穿结、第三子电池，所述三个子电池之间晶格匹配且通过隧穿结进行连接，其中，所述第一子电池为Ge电池，所述第二子电池为In_xGa_1-xN_yAs_1-y/GaAs量子阱电池，所述第三子电池为GaInP电池。本实用新型形成的能带隙组合在0.67eV/1.3eV /1.8eV左右，使第二子电池和第一子电池的能带隙差ΔEg1约为0.63，第三子电池和第二子电池的能带隙差ΔEg2约为0.5eV，两能带隙差更接近，且由于第三子电池GaInP能带隙在1.8eV左右，其可以比传统GaInP电池吸收更多的光子，这将使得本实用新型中三个子电池的电流分配更均匀。

主权项

一种含量子阱结构的三结太阳能电池，其特征在于：从下至上依次包括有作为衬底的第一子电池、第一隧穿结、第二子电池、第二隧穿结、第三子电池，所述三个子电池之间晶格匹配且通过隧穿结进行连接，其中，所述第一子电池为Ge电池，所述第二子电池为In_xGa_1‑xN_yAs_1‑y/GaAs量子阱电池，所述第三子电池为GaInP电池。