[实用新型]半导体器件

摘要

本实用新型涉及一种半导体器件。源极互连和漏极互连被交替地设置在多个晶体管单元之间。一条接合线在多个点处被连接到源极互连。另一接合线在多个点处被连接到源极互连。另外，一条接合线在多个点处被连接到漏极互连。另外，另一接合线在多个点处被连接到漏极互连。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底；和第一晶体管单元、第二晶体管单元、以及第三晶体管单元，所述第一晶体管单元、所述第二晶体管单元、以及所述第三晶体管单元被形成在所述衬底中并且在第一方向上被依次并排地布置，其中，所述第一晶体管单元、所述第二晶体管单元、以及所述第三晶体管单元都包括多个晶体管，在所述多个晶体管中，栅电极在所述第一方向上延伸，所述半导体器件进一步包括：第一互连，所述第一互连在与所述第一方向相交的第二方向上在所述第一晶体管单元和所述第二晶体管单元之间延伸，并且被连接到所述第一晶体管单元的所述多个晶体管的源电极和所述第二晶体管单元的所述多个晶体管的源电极；第二互连，所述第二互连在所述第一晶体管单元介于所述第二互连和所述第一互连之间的情况下位于所述第一互连的相反侧，在所述第二方向上延伸，并且被连接到所述第一晶体管单元的所述多个晶体管的漏电极；第三互连，所述第三互连在所述第二方向上在所述第二晶体管单元和所述第三晶体管单元之间延伸，并且被连接到所述第二晶体管单元的所述多个晶体管的漏电极和所述第三晶体管单元的所述多个晶体管的漏电极；第四互连，所述第四互连在所述第三晶体管单元介于所述第四互连和所述第三互连之间的情况下位于所述第三互连的相反侧，在所述第二方向上延伸，并且被连接到所述第三晶体管单元的所述多个晶体管的源电极；第一接合构件，所述第一接合构件在多个点处被连接到所述第一互连；第二接合构件，所述第二接合构件在多个点处被连接到所述第二互连；第三接合构件，所述第三接合构件在多个点处被连接到所述第三互连；以及第四接合构件，所述第四接合构件在多个点处被连接到所述第四互连。