[实用新型]一种自供电P-SSHI电路

摘要

本实用新型涉及一种自供电P-SSHI电路。其特征是所述P-SSHI电路包括检测器I，检测器II，MOS管M1，MOS管M4，二极管D3，二极管D5，开关器件I，开关器件II，整桥电路。该P-SSHI电路在不需要电源情况下能较多的收集压电元件的能量，与现有的压电能量收集电路相比，该电路不仅适合在高振动水平收集较多能量，也适合在低振动水平有效收集能量，有效的提高了能量收集效率。

主权项

一种基于自供电的P‑SSHI电路，其特征是所述P‑SSHI电路包括检测器I，检测器II，MOS管M1，MOS管M4，二极管D3，二极管D5，开关器件I，开关器件II，整桥电路；所述检测器I包括电阻R1，二极管D1，电容C1；所述检测器II包括电阻R2，二极管D2，电容C2；所述开关器件I包括二极管D4，MOS管M3；所述开关器件II包括二极管D6，MOS管M2；所述整桥电路由二极管D7，二极管D8，二极管D9，二极管D10构成；所述压电元件一端分别与电阻R1一端，MOS管M1栅极端，二极管D4正极端，二极管D6负极端，MOS管M4的栅极端，电阻R2的一端，二极管D7的负极，二极管D8正极相连，电阻R1另一端与二极管D1的正极相连，二极管D1的负极分别与MOS管M1的源极端，电容C1的一端相连，电容C1另一端分别与压电元件的另一端，电感L一端，电容C2一端，二极管D9负极端，二极管D10正极端；所述MOS管M1的漏极端与二极管D3的正极相连，所述二极管D3负极端与MOS管M3的栅极端相连，所述MOS管M3的漏极端与二极管D4的负极端相连，所述电感的另一端分别与MOS管M3的源极，MOS管M2的源极相连；所述MOS管M2的栅极与二极管D5正极相连，所述MOS管的漏极与二极管D6正极相连；所述二极管D5负极与MOS管M4漏极端相连，所述MOS管M4源极端分别与电容C2一端，二极管D2的正极相连；所述二极管D2的负极分别与电阻R2一端相连；所述二极管D7正极，二极管D9正极都与地相连，所述二极管D8负极，二极管D10负极与输出负载一端相连，输出负载另一端与地相连，输出负载可以是电容Crect，输出负载也可以是电容Crect与电阻Rload并联。