[实用新型]一种用于日盲紫外探测的雪崩光电二极管

摘要

本实用新型公开了一种用于日盲紫外探测的雪崩光电二极管，包括蓝宝石衬底，在所述蓝宝石衬底之上至下而上依次设置AlN缓冲层、i型AlGaN层、n型AlGaN窗口层、i型AlGaN吸收层、AlGaN电荷层、i型GaN倍增层、p型GaN欧姆接触层和P型欧姆电极；在所述n型AlGaN窗口层的上表面上，在所述i型AlGaN吸收层外侧，设置有n型欧姆电极。在所述蓝宝石衬底的下方设置有一个一维二元光子晶体滤波膜系；所述一维二元光子晶体滤波膜系包括第一光子晶体滤波膜系和第二光子晶体滤波膜系。本实用新型的用于日盲紫外探测的雪崩光电二极管，具有可实现光电二极管光谱响应的截止波长低于280nm的日盲特性，且避免了外接滤波系统的复杂性和制备工艺的高成本和高难度等优点。

主权项

一种用于日盲紫外探测的雪崩光电二极管，其特征是，包括蓝宝石衬底(2)、AlN缓冲层(3)、i型AlGaN层(4)、n型AlGaN窗口层(5)、i型AlGaN吸收层(6)、AlGaN电荷层(7)、i型GaN倍增层(8)、p型GaN欧姆接触层(9)、P型欧姆电极(10)和n型欧姆电极(11)； 在所述蓝宝石衬底(2)之上至下而上依次设置AlN缓冲层(3)、i型AlGaN层(4)、n型AlGaN窗口层(5)、i型AlGaN吸收层(6)、AlGaN电荷层(7)、i型GaN倍增层(8)、p型GaN欧姆接触层(9)和P型欧姆电极(10)；在所述n型AlGaN窗口层(5)的上表面上，在所述i型AlGaN吸收层(6)外侧，设置有n型欧姆电极(11)。