[实用新型]一种掺杂超晶格结构的黄绿光LED有效
| 申请号： | 201420570717.5 | 申请日： | 2014-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN204189816U | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 林鸿亮;张银桥;张双翔;杨凯;徐培强;李全素;王向武;李忠辉 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种掺杂超晶格结构的黄绿光LED，属于光电子技术领域，在衬底上依次生长有GaAs缓冲层、布拉格反射层、N型限制层、周期性的有源层、P-AlInP限制层和GaP窗口层；在生长周期性的有源层时，以AlXGa(1-X)InP/AlYGa(1-Y)InP为材料，掺以同种导电类型杂质，生长超晶格结构的有源层。制成的产品可较大地改善传统结构的内量子效率低的问题，提高有源区的空穴注入，提升电子空穴复合效率，从而较大地提高产品光效，其亮度较传统结构可提升40%～60%，因此，本实用新型能够大量生产发光波长560～580nm范围的高效率的黄绿光波段的LED。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 晶格 结构 黄绿 led | ||
【主权项】：
一种掺杂超晶格结构的黄绿光LED，包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、布拉格反射层、N型限制层、有源层、P型限制层以及GaP窗口层，其特征在于，有源层为AlGa InP掺杂超晶格结构层。
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