[实用新型]一种半导体激光器有效
申请号: | 201420576077.9 | 申请日: | 2014-09-30 |
公开(公告)号: | CN204130903U | 公开(公告)日: | 2015-01-28 |
发明(设计)人: | 聂成 | 申请(专利权)人: | 聂成 |
主分类号: | H01S5/04 | 分类号: | H01S5/04 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 402368 重庆市大*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种半导体激光器,包括基板,所述基板上方设置有阴极,所述阴极两端分别设置有绝缘体,所述绝缘体上设置有栅极,所述栅极之间,阴极上方中心设置有发射极,所述发射极与栅极之间分别设置有电子发射尖锥,所述发射极上方设置有磷光层,所述磷光层上方设置有玻璃板,所述玻璃板、基板、侧板构成封闭结构。本实用新型结构简单、制造成本低廉、发射率高、亮度均匀。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体激光器 | ||
【主权项】:
一种半导体激光器,其特征在于,包括基板,所述基板上方设置有阴极,所述阴极两端分别设置有绝缘体,所述绝缘体上设置有栅极,所述栅极之间,阴极上方中心设置有发射极,所述发射极与栅极之间分别设置有电子发射尖锥,所述发射极上方设置有磷光层,所述磷光层上方设置有玻璃板,所述玻璃板、基板、侧板构成封闭结构。
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