[实用新型]一种半导体激光器有效
| 申请号： | 201420576077.9 | 申请日： | 2014-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN204130903U | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 聂成 | 申请（专利权）人： | 聂成 |
| 主分类号： | H01S5/04 | 分类号： | H01S5/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 402368 重庆市大*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种半导体激光器，包括基板，所述基板上方设置有阴极，所述阴极两端分别设置有绝缘体，所述绝缘体上设置有栅极，所述栅极之间，阴极上方中心设置有发射极，所述发射极与栅极之间分别设置有电子发射尖锥，所述发射极上方设置有磷光层，所述磷光层上方设置有玻璃板，所述玻璃板、基板、侧板构成封闭结构。本实用新型结构简单、制造成本低廉、发射率高、亮度均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 | ||
【主权项】：
一种半导体激光器，其特征在于，包括基板，所述基板上方设置有阴极，所述阴极两端分别设置有绝缘体，所述绝缘体上设置有栅极，所述栅极之间，阴极上方中心设置有发射极，所述发射极与栅极之间分别设置有电子发射尖锥，所述发射极上方设置有磷光层，所述磷光层上方设置有玻璃板，所述玻璃板、基板、侧板构成封闭结构。
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