[实用新型]一种LED芯片有效

专利信息
申请号: 201420582388.6 申请日: 2014-09-30
公开(公告)号: CN204130587U 公开(公告)日: 2015-01-28
发明(设计)人: 夏洪贵 申请(专利权)人: 夏洪贵
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/64;H01L33/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 402360 重庆市大*** 国省代码: 重庆;85
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摘要: 实用新型涉及一种LED芯片,包括金属底座,所述金属底座上方设置有粘接材料,所述粘接材料上方设置有第一可焊金属,所述第一可焊金属上方设置有硅衬底,所述硅衬底上方设置有接触层,所述接触层上方两端分别设置有第二可焊金属、第三可焊金属,所述第二可焊金属、第三可焊金属上方分别设置有焊料,所述第二可焊金属上焊料上方设置有P型氮化镓层,所述P型氮化镓层上方设置有氮化镓量子阱层,所述第三可焊金属上焊料上方设置有第四可焊金属,所述氮化镓量子阱层、第四可焊金属上方设置有N型氮化镓层,所述N型氮化镓层上方设置有蓝宝石层。本实用新型结构简单、易封装、制造成本低廉、噪音低、抗辐射能力强、性能稳定、环保、节能。
搜索关键词: 一种 led 芯片
【主权项】:
一种LED芯片,其特征在于,包括金属底座,所述金属底座上方设置有粘接材料,所述粘接材料上方设置有第一可焊金属,所述第一可焊金属上方设置有硅衬底,所述硅衬底上方设置有接触层,所述接触层上方两端分别设置有第二可焊金属、第三可焊金属,所述第二可焊金属、第三可焊金属上方分别设置有焊料,所述第二可焊金属上焊料上方设置有P型氮化镓层,所述P型氮化镓层上方设置有氮化镓量子阱层,所述第三可焊金属上焊料上方设置有第四可焊金属,所述氮化镓量子阱层、第四可焊金属上方设置有N型氮化镓层,所述N型氮化镓层上方设置有蓝宝石层。
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