[实用新型]一种新型沟槽MOSFET单元有效
| 申请号： | 201420588567.0 | 申请日： | 2014-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN204271088U | 公开（公告）日： | 2015-04-15 |
| 发明（设计）人： | 黄泽军 | 申请（专利权）人： | 深圳市锐骏半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种新型沟槽MOSFET单元，其中，一种新型沟槽MOSFET单元，其包括离子掺杂区。采用上述方案，本实用新型通过在沟槽刻蚀之后生长牺牲氧化层之前通过补充注入与外延同型离子，包括N+外延补注砷或者磷/P-外延补注硼或者硼氟化合物，以增加外延层的离子浓度，降低外延层的电阻，即降低漏极-源极之间的电阻达到降低导通电阻的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 沟槽 mosfet 单元 | ||
【主权项】：
一种新型沟槽MOSFET单元，其特征在于，包括MOSFET衬底及其上形成的外延层，形成在该外延层内的沟槽及被沟槽分割的轻掺杂区，在沟槽的内表面形成有第一介质层，在沟槽内的第一介质层上形成有导电的填充层，在轻掺杂区内形成有重掺杂区，该沟槽MOSFET还包括外围金属层，栅极金属层，源极金属层和漏极金属层、离子掺杂区。
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