[实用新型]基于反挖槽工艺的GPP整流芯片有效
| 申请号： | 201420603729.3 | 申请日： | 2014-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN204144250U | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 程德明;胡建业;胡翰林;汪华锋;汪文锋 | 申请（专利权）人： | 黄山硅鼎电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 245600*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种基于反挖槽工艺的GPP整流芯片新产品，其电极性与常规的GPP整流芯片相反，芯片上方向面积较小的面为N型、新产品负极，芯片下方向面积较大的面为P型、新产品正极。新产品电热性能优于常规产品，反向耐压高于2000伏特。新产品生产成本不高于常规产品，能继续使用常规产品的在线设备、仪器、材料生产，可满足客户对GPP整流芯片产品的不同电极性要求。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 反挖槽 工艺 gpp 整流 芯片 | ||
【主权项】：
一种基于反挖槽工艺的GPP整流芯片，其结构特征为：芯片上方向面积较小的面为N型、负极，芯片下方向面积较大的面为P型、正极；P型扩散层深度为130～140微米，反挖槽后所剩留单晶硅片厚度为110～120微米，反挖的槽内充填烧融玻璃，反挖的槽中部激光切断成型。
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