[实用新型]一种接触电阻的测试结构有效
| 申请号： | 201420603883.0 | 申请日： | 2014-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN204102867U | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | 刘英明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种接触电阻的测试结构，所述测试结构至少包括：制作在衬底中的主测试结构和参考结构；所述主测试结构至少包括：形成于所述衬底中的有源区；制作在所述有源区中的第一硅化物、第二硅化物以及第三硅化物；上述每一个硅化物表面制作接触插塞和电极；所述参考结构至少包括：形成于所述衬底中的第四硅化物；分别制作所述第四硅化物两侧的第四接触插塞和第五接触插塞；分别制作在第四接触插塞和第五接触插塞表面的第四电极和第五电极。利用该测试结构可以获得硅化物和硅之间的接触电阻，并且该测试结构的制备工艺与CMOS工艺兼容，适合工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 接触 电阻 测试 结构 | ||
【主权项】：
一种接触电阻的测试结构，其特征在于，所述接触电阻的测试结构至少包括：制作在衬底中的主测试结构和参考结构；所述主测试结构至少包括：形成于所述衬底中的有源区；制作在所述有源区中的第一硅化物、第二硅化物以及第三硅化物；所述第一硅化物表面自下而上依次制作有第一接触插塞和第一电极；所述第二硅化物表面自下而上依次制作有第二接触插塞和第二电极；所述第三硅化物表面自下而上依次制作有第三接触插塞和第三电极；所述参考结构至少包括：形成于所述衬底中的第四硅化物；分别制作所述第四硅化物两侧的第四接触插塞和第五接触插塞；分别制作在第四接触插塞和第五接触插塞表面的第四电极和第五电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
