[实用新型]一种提高LED光提取效率的激光深层结构有效
| 申请号： | 201420623246.X | 申请日： | 2014-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN204230282U | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 赵晓杰;张杰;何淳;陆文革 | 申请（专利权）人： | 深圳英诺激光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人： | 冯筠 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区科技*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种提高LED光提取效率的激光深层结构，其自上而下依次包括：一SiO2层，一p-GaN层，一MQW层，一n-GaN层，一蓝宝石基底。其中，SiO2/p-GaN层和n-GaN/蓝宝石层表面设有经过图形制备的图形结构。本实用新型的一种提高LED光提取效率的激光深层结构，其通过在LED的正面和背面分别或同时进行图形化处理，并且采用脉冲激光，能有效的减少甚至是消除全发射，从而使LED的光提取效率提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 led 提取 效率 激光 深层 结构 | ||
【主权项】：
一种提高LED光提取效率的激光深层结构，其特征在于，自上而下依次包括：一SiO2层，一p‑GaN层，一MQW层，一n‑GaN层，一蓝宝石层的基底，其中，SiO2/p‑GaN层和n‑GaN/蓝宝石层表面设有经过图形制备的图形结构。
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