[实用新型]大功率半导体芯片的封装组件有效
申请号: | 201420626280.2 | 申请日: | 2014-10-27 |
公开(公告)号: | CN204144238U | 公开(公告)日: | 2015-02-04 |
发明(设计)人: | 季兴桥;陆吟泉 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第二十九研究所 |
主分类号: | H01L23/06 | 分类号: | H01L23/06;H01L23/373 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人: | 钱成岑 |
地址: | 610036 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种大功率半导体芯片的封装组件。封装组件包括硅铝盒体、金锡焊料片、金刚石铜热沉块、锡铅焊料片、大功率半导体芯片、盖板、低频连接器和射频连接器,硅铝盒体底部开有腔槽,金刚石铜热沉块位于腔槽中,并通过锡铅焊料片与硅铝盒体焊接,大功率半导体芯片位于腔槽上方,并通过金锡焊料片焊接在金刚石铜热沉块上,盖板盖合硅铝盒体,并通过激光封焊与硅铝盒体焊接,低频连接器和射频连接器焊接在硅铝盒体的相对两侧。本实用新型的封装组件能够解决大功率半导体芯片封装后,散热、热膨胀、气密性不能兼顾的问题。 | ||
搜索关键词: | 大功率 半导体 芯片 封装 组件 | ||
【主权项】:
一种大功率半导体芯片的封装组件,其特征在于,所述封装组件包括硅铝盒体(1)、金锡焊料片(2)、金刚石铜热沉块(3)、锡铅焊料片(4)、大功率半导体芯片(5)、盖板(6)、低频连接器(7)和射频连接器(8),所述硅铝盒体(1)底部开有腔槽(11),所述金刚石铜热沉块(3)位于所述腔槽(11)中,并通过所述锡铅焊料片(4)与所述硅铝盒体(1)焊接,所述大功率半导体芯片(5)位于所述腔槽(11)上方,并通过所述金锡焊料片(2)焊接在所述金刚石铜热沉块(3)上,所述盖板(6)盖合所述硅铝盒体(1),并通过激光封焊与所述硅铝盒体(1)焊接,所述低频连接器(7)和所述射频连接器(8)焊接在所述硅铝盒体(1)的相对两侧。
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