[实用新型]LDS工艺的LTE天线有效
| 申请号： | 201420631213.X | 申请日： | 2014-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN204179219U | 公开（公告）日： | 2015-02-25 |
| 发明（设计）人： | 牛兴刚;张中俊;江勇 | 申请（专利权）人： | 普尔信通讯科技（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01Q1/38 | 分类号： | H01Q1/38;H01Q5/00 |
| 代理公司： | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人： | 任哲夫 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种LDS工艺的LTE天线，包括从左至右并排间隔设置的接地馈点、信号输入馈点和寄生馈点；所述接地馈点与第一辐射单元相连，信号输入馈点连接有第二辐射单元，寄生馈点3连接有寄生辐射单元。本实用新型的有益效果在于：应用本实用新型天线设计方案可有效利用支架或壳体面积，较少了生产工序，整体降低产品不良率，间接地节约了成本，且将天线拓宽至4G频段，可实现低频824～960MHZ，高频1710～2620MHZ下的通讯应用。 | ||
| 搜索关键词： | lds 工艺 lte 天线 | ||
【主权项】：
一种LDS工艺的LTE天线，其特征在于：包括从左至右并排间隔设置的接地馈点、信号输入馈点和寄生馈点；所述接地馈点与第一辐射单元相连，信号输入馈点连接有第二辐射单元，寄生馈点连接有寄生辐射单元；所述第一辐射单元由相连的第一辐射支、第二辐射支、第三辐射支及第四辐射支构成；所述第一辐射支沿左侧水平延伸，所述第二辐射支向左下倾斜延伸，所述第三辐射支沿左侧水平延伸，其端部向下延伸与第四辐射支相连，第四辐射支水平设置于第三辐射支下侧；所述第二辐射单元由相连的第一辐射段、第二辐射段、第三辐射段、第四辐射段及第五辐射段构成；所述第一辐射段向下延伸，于第一辐射段上部向左水平延伸形成第二辐射段，第二辐射段与第一辐射单元的第二辐射支相连，第一辐射段下部向左水平延伸形成第三辐射段，向右水平延伸形成第四辐射段，第一辐射段下端向左延伸形成第五辐射段；所述第五辐射段呈L字形。
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